截至5月11日10点45分，上证指数涨0.66%，深证成指涨1.52%，创业板指涨2.13%。国家大基金持股、半导体、电子化学品等板块涨幅居前。
ETF方面，科创芯片ETF易方达（589130）涨5.06%，成分股澜起科技（688008.SH）、中船特气（688146.SH）、天岳先进（688234.SH）、聚辰股份（688123.SH）、佰维存储（688525.SH）、有研硅（688432.SH）涨超10%，峰岹科技（688279.SH）、杰华特（688141.SH）、思瑞浦（688536.SH）、纳芯微（688052.SH）涨超5%。
消息面上，全球半导体产业景气度持续升温，韩国芯片权重股与美股存储芯片板块持续走强并刷新历史新高。TrendForce最新预测2026年二季度DRAM和NAND合约价将分别暴涨58%～63%和70%～75%。受海外市场强势带动与国内AI算力需求爆发双重驱动，A股半导体板块同步迎来集体爆发。
东北证券表示，OCP开放标准降低适配门槛，国产厂商精准卡位需求窗口。MRC作为OCP开放标准发布，硬件无关、协议公开，国产厂商可直接对标实现，无需专有协议授权。国产交换芯片25.6T已量产、51.2T正研发，过去市场担忧其与海外龙头的技术代差，而MRC架构下25.6T/51.2T恰好覆盖超大集群组网的核心需求区间。供需方面，MRC方案中大量使用博通TH551.2T交换芯片，产业消息显示其处于“70-80周交货周期”的严重供不应求状态，恰逢2026国产51.2T芯片量产元年，交换芯片国产替代迎来历史机遇。全无阻塞架构推动25.6T/51.2T交换芯片需求量提升，叠加海外龙头供给不足的时代红利，国产厂商迎来双重利好。
兴业证券表示，存储景气度持续上行，扩产驱动设备大周期来临。存储需求在AI训练和推理中持续通胀，受制于技术升级及扩产周期，产能扩张幅度以及无尘室空间有限，我们预计供需紧张有望持续到2027年之后，并带动了资本开支的大爆发。美光上修FY2026资本开支至250亿美元，海力士80亿美元提前锁定光刻机产能，全球存储大扩产开启。对于国产存储，AI及国产替代打开需求空间；技术端，长江存储300+层3DNAND产品量产、长鑫存储HBM突破进一步强化全球竞争地位；资金端两存有望通过上市获得进一步支持；“需求+技术+资金”三重共振，我们认为国产存储扩产加速拐点已现，重点推荐存储设备材料产业链投资机会。
科创芯片ETF易方达（589130）一键布局科创板芯片产业龙头，成长性优势凸显。
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